IRLR2705中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRLR2705規(guī)格書詳情
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.
? Logic-Level Gate Drive
? Ultra Low On-Resistance
? Surface Mount (IRLR2705)
? Straight Lead (IRLU2705)
? Advanced Process Technology
? Fast Switching
? Fully Avalanche Rated
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRLR2705
- 功能描述：
MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
21+ |
TO-252 |
30490 |
原裝現(xiàn)貨庫存 |
詢價 | ||
IR |
2020+ |
TO-252 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
IR |
24+ |
TO-252 |
990000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
11+ |
TO-252 |
400 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
IR |
1822+ |
TO-252 |
9852 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險!! |
詢價 | ||
IR |
20+ |
TO-252 |
38900 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
詢價 | ||
IR |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒號只做原裝 現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng) |
詢價 | ||
IR |
2025+ |
TO-252-2 |
5425 |
全新原廠原裝產(chǎn)品、公司現(xiàn)貨銷售 |
詢價 | ||
Infineon |
24+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng) |
詢價 | ||
IR |
24+ |
D-pak |
90000 |
一級代理商進(jìn)口原裝現(xiàn)貨、價格合理 |
詢價 |
