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IRLR2705

HEXFET POWER MOSFET

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,

IRF

International Rectifier

IRLR2705

HEXFET POWER MOSFET

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,

IRF

International Rectifier

IRLR2705

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

GeneralFeatures VDS=60VID=20A RDS(ON)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

IRLR2705

N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRLR2705

Ultra Low On-Resistance

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRLR2705PBF

HEXFET Power MOSFET

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p

IRF

International Rectifier

IRLR2705TRPBF

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features ?VDS=60V,ID=30A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

IRLR2705PBF

Logic-Level Gate Drive

IRF

International Rectifier

IRLR2705PBF_15

Logic-Level Gate Drive

IRF

International Rectifier

IRLR2705TRL

Logic-Level Gate Drive

IRF

International Rectifier

IRLR2705TRPBF

Logic-Level Gate Drive

IRF

International Rectifier

IRLR2705TRPBF

N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRLR2705

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 55V 28A DPAK

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
臺灣VB
23+
TO-252
4020
公司現(xiàn)貨,有掛就有貨。
 詢價
IR
2024+
N/A
70000
柒號只做原裝 現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng)
 詢價
INFINEON/英飛凌
23+
TO252-3
360000
專業(yè)供應(yīng)MOS/LDO/晶體管/有大量價格低
 詢價
IR
24+
TO-252
10000
詢價
IR
23+
TO-252
35890
詢價
IR
2015+
D-Pak
12500
全新原裝,現(xiàn)貨庫存長期供應(yīng)
 詢價
IR
23+
D-Pak
8600
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價
IR
24+
原廠封裝
12776
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
IR
2020+
TO-252
1062
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價
IR
2020+
TO-252
350000
100%進口原裝正品公司現(xiàn)貨庫存
 詢價
更多IRLR2705供應(yīng)商 更新時間2025-1-13 14:01:00

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