IRLR2705中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
IRLR2705規(guī)格書詳情
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.
? Logic-Level Gate Drive
? Ultra Low On-Resistance
? Surface Mount (IRLR2705)
? Straight Lead (IRLU2705)
? Advanced Process Technology
? Fast Switching
? Fully Avalanche Rated
產(chǎn)品屬性
- 型號：
IRLR2705
- 功能描述：
MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
21+ |
TO-252 |
6000 |
原裝正品 |
詢價 | ||
IR |
22+ |
TO252 |
9600 |
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應(yīng),支持實單! |
詢價 | ||
IR |
21+ |
TO252 |
12588 |
原裝正品,自己庫存 假一罰十 |
詢價 | ||
IR |
2020+ |
TO-252 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-252 |
45000 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 | ||
IR |
19+ |
TO-252 |
75263 |
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠； |
詢價 | ||
IR |
22+ |
TO-252 |
20000 |
保證原裝正品,假一陪十 |
詢價 | ||
IR |
2015+ |
D-Pak |
12500 |
全新原裝,現(xiàn)貨庫存長期供應(yīng) |
詢價 | ||
IR |
2021+ |
TO-252 |
100500 |
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-252 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 |
