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IRLU2905Z

iscSiliconNPNPowerTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRLU2905ZPBF

HEXFETPowerMOSFET

Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET?PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro

IRF

International Rectifier

IRLU2905ZPBF

AdvancedProcessTechnology

IRF

International Rectifier

LM2905N

PrecisionTimers

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司

LR2905Z

N-Channel60V(D-S)MOSFET

FEATURES ?175°CJunctionTemperature ?TrenchFET?PowerMOSFET ?Materialcategorization:

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

LTC2905

PushButtonOn/OffController

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導(dǎo)體

LTC2905

LowVoltageSupervisorwith27SelectableThresholdsandWatchdogTimer

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導(dǎo)體

LTC2905

PrecisionDualSupplyMonitorswithPin-SelectableThresholds

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導(dǎo)體

LTC2905

36VNano-CurrentTwoInputVoltageMonitor

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導(dǎo)體

LTC2905

PrecisionQuadSupplyMonitorin6-LeadSOT-23

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IRLR2905ZTRL

  • 功能描述：

    MOSFET MOSFT 55V 60A 13.5mOhm 23nC LogLvl

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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VISHAY專營進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠十
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保證進(jìn)口原裝可開17%增值稅發(fā)票
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更多IRLR2905ZTRL供應(yīng)商 更新時間2025-3-13 16:12:00

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