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IRLR3303	文件：139.15 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRLR3303	文件：335.28 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRLR3303PBF	文件：307.21 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewell	IRF International Rectifier	IRF
IRLU3303	文件：139.15 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRLU3303	文件：247.04 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRLU3303PBF	文件：307.21 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewell	IRF International Rectifier	IRF
J3303	文件：579.12 Kbytes Page：5 Pages	SiliconP-channelMOSFET SiliconP-channelMOSFET Forswitchingcircuits Overview FJ330301isP-channelsmallsignalMOSFETemployedsmallsizesurfacemountingpackage. Features ●Lowdrain-sourceONresistance:RDS(on)typ.=4Ω(VGS=-4.0V) ●High-speedswitching ●Smallsizesurfacemountingpackage:SSSMi	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下電器	Panasonic
J3303	文件：244.69 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司	GTM
KA3303	文件：84.69 Kbytes Page：10 Pages	QuadOperationalAmplifier Description TheKA3303seriesisamonolithicQuadoperationalamplifierconsistingoffourindependentamplifiers.Thedevicehashighgain,internallyfrequency,compensatedoperationalamplifiersdesignedtooperatefromasinglepowersupplyordualpowersuppliesoverawiderangeofvoltage	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
KA3303D	文件：84.69 Kbytes Page：10 Pages	QuadOperationalAmplifier Description TheKA3303seriesisamonolithicQuadoperationalamplifierconsistingoffourindependentamplifiers.Thedevicehashighgain,internallyfrequency,compensatedoperationalamplifiersdesignedtooperatefromasinglepowersupplyordualpowersuppliesoverawiderangeofvoltage	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
KNG3303A	文件：308.33 Kbytes Page：5 Pages	90A竊?0VN-CHANNELMOSFET	KIAKIA Semiconductor Technology 可易亞半導(dǎo)體廣東可易亞半導(dǎo)體科技有限公司	KIA
KNX3303A	文件：308.33 Kbytes Page：5 Pages	90A竊?0VN-CHANNELMOSFET	KIAKIA Semiconductor Technology 可易亞半導(dǎo)體廣東可易亞半導(dǎo)體科技有限公司	KIA
KNY3303A	文件：308.33 Kbytes Page：5 Pages	90A竊?0VN-CHANNELMOSFET	KIAKIA Semiconductor Technology 可易亞半導(dǎo)體廣東可易亞半導(dǎo)體科技有限公司	KIA
KSMD3303	文件：620.03 Kbytes Page：4 Pages	Lowgatecharge.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMU3303	文件：620.5 Kbytes Page：4 Pages	Greendeviceavailable.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
LL3303	文件：1.00969 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?AEC-Q101Qualifiedc ?100RgandUISTested	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
LM3303	文件：200.79 Kbytes Page：10 Pages	QuadOperationalAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司	NSC
LM3303J	文件：200.79 Kbytes Page：10 Pages	QuadOperationalAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司	NSC
LM3303M	文件：200.79 Kbytes Page：10 Pages	QuadOperationalAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司	NSC
LM3303N	文件：200.79 Kbytes Page：10 Pages	QuadOperationalAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司	NSC

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRLR3303
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
RoHS：
否
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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深圳市匯萊威科技有限公司	IRLR3303	IR	24+	TO-252	501059	免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系	詢價(jià)
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深圳宇航軍工半導(dǎo)體有限公司	IRLR3303	IR	19+	TO-252	75269	原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；	詢價(jià)

更多IRLR3303供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-24 11:04:00

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