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IRLR8103

N-Channel Application-Specific MOSFETs

IRF

International Rectifier

IRLR8103V

N-Channel Application-Specific MOSFETs

IRF

International Rectifier

IRLR8103V

N-Channel Application-Specific MOSFETs

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRLR8103V

Marking:DPAK;Package:TO-252;Isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRLR8103VPBF

N-Channel Application-Specific MOSFETs

IRF

International Rectifier

IRLR8103VPBF

Simple Drive Requirements

IRF

International Rectifier

IRLR8103VPBF_15

Simple Drive Requirements

IRF

International Rectifier

IRLR8103VTRPBF

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司

ISL8103

Three-PhaseBuckPWMControllerwithHighCurrentIntegratedMOSFETDrivers

Intersil

Intersil Corporation

ISL8103

Three-PhaseBuckPWMControllerwithHighCurrentIntegratedMOSFETDrivers

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    IRLR8103

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 30V 89A DPAK

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
IR
24+
TO-252
34
詢價(jià)
IR
23+
SOT-252
3000
專業(yè)優(yōu)勢(shì)供應(yīng)
詢價(jià)
IR
20+
DPAK
36900
原裝優(yōu)勢(shì)主營型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票
詢價(jià)
IR
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16800
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DPAK
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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22500
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2118
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TO-252
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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21+
DPAK
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
詢價(jià)
更多IRLR8103供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-24 16:30:00