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IRLZ34NS

HEXFET Power MOSFET

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRF

International Rectifier

IRLZ34NS

HEXFET? Power MOSFET

IRF

International Rectifier

IRLZ34NS

HEXFET Power MOSFET

IRF

International Rectifier

IRLZ34NSPBF

HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 0.035廓 , ID = 30A )

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRF

International Rectifier

IRLZ34NSL

Logic-Level Gate Drive

IRF

International Rectifier

IRLZ34NSL

HEXFET? Power MOSFET

IRF

International Rectifier

IRLZ34NSLPBF

Logic-Level Gate Drive

IRF

International Rectifier

IRLZ34NSPBF

Fast Switching

IRF

International Rectifier

IRLZ34NSPBF_15

Fast Switching

IRF

International Rectifier

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRLZ34NS

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu)
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原裝現(xiàn)貨假一罰十
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價格優(yōu)勢/原裝現(xiàn)貨/客戶至上/歡迎廣大客戶來電查詢
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13+
TO-263
9058
原裝分銷
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更多IRLZ34NS供應(yīng)商 更新時間2025-1-20 16:49:00

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