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IRS2103PBF集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器規(guī)格書PDF中文資料

IRS2103PBF
廠商型號

IRS2103PBF

參數(shù)屬性

IRS2103PBF 封裝/外殼為8-DIP(0.300",7.62mm);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP

功能描述

HALF-BRIDGE DRIVER
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP

封裝外殼

8-DIP(0.300",7.62mm)

文件大小

363.26 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-23 23:37:00

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IRS2103PBF規(guī)格書詳情

IRS2103PBF屬于集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IRS2103PBF柵極驅(qū)動器柵極驅(qū)動器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能,這些功能可將來自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號連接到電源被控制通過的半導(dǎo)體設(shè)備(通常為 FET 或 IGBT)。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同,但與它適合驅(qū)動的半導(dǎo)體配置相關(guān)。

Description

The IRS2103 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with dependent high- and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3 V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver crossconduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration which operates up to 600 V.

Features

? Floating channel designed for bootstrap operation

? Fully operational to +600 V

? Tolerant to negative transient voltage, dV/dt immune

? Gate drive supply range from 10 V to 20 V

? Undervoltage lockout

? 3.3 V, 5 V, and 15 V logic compatible

? Cross-conduction prevention logic

? Matched propagation delay for both channels

? Internal set deadtime

? High-side output in phase with HIN input

? Low-side output out of phase with LIN input

? RoHS compliant

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IRS2103PBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 驅(qū)動配置:

    半橋

  • 通道類型:

    獨立式

  • 柵極類型:

    IGBT,N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    10V ~ 20V

  • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

    0.8V,2.5V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    290mA,600mA

  • 輸入類型:

    反相,非反相

  • 上升/下降時間(典型值):

    70ns,35ns

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    8-DIP(0.300",7.62mm)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-PDIP

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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