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IS41C16256C集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料

IS41C16256C
廠商型號(hào)

IS41C16256C

參數(shù)屬性

IS41C16256C 封裝/外殼為44-TSOP(0.400",10.16mm 寬),40 引線;包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC DRAM 4MBIT PARALLEL 40TSOP

功能描述

4Mb DRAM WITH EDO PAGE MODE

文件大小

475.46 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

22 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Integrated Silicon Solution Inc
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ISSI北京矽成

中文名稱

北京矽成半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-1-3 14:39:00

IS41C16256C規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION

The ISSIs IS41C/LV16256C is 262,144 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memory. Both products offer accelerated cycle access EDO Page Mode. EDO Page Mode allows 512 random accesses within a single row with access cycle time as short as 10ns per 16-bit word. The Byte Write control, of upper and lower byte, makes the IS41C/LV16256C ideal for use in 16 and 32-bit wide data bus systems.

FEATURES

? TTL compatible inputs and outputs

? Refresh Interval: 512 cycles/8 ms

? Refresh Mode : RAS-Only, CAS-before-RAS (CBR), and Hidden

? JEDEC standard pinout

? Single power supply:

5V ± 10 (IS41C16256C)

3.3V ± 10 (IS41LV16256C)

? Byte Write and Byte Read operation via two CAS

? Lead-free available

? Industrial Temperature Range -40°C to +85°C

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IS41C16256C-35TLI-TR

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲(chǔ)器類型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    DRAM

  • 技術(shù):

    DRAM - EDO

  • 存儲(chǔ)容量:

    4Mb(256K x 16)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    44-TSOP(0.400",10.16mm 寬),40 引線

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    40-TSOP

  • 描述:

    IC DRAM 4MBIT PARALLEL 40TSOP

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ISSI
1844+
TSOP40
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ISSI Integrated Silicon Soluti
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ISSI/矽成
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DRAM/256KX16EDO/TSOP2(40
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原裝香港現(xiàn)貨真實(shí)庫(kù)存。低價(jià)
詢價(jià)
ISSI
16+
SOJ
1068
原裝現(xiàn)貨假一罰十
詢價(jià)