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IS41C16257C集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IS41C16257C |
| 參數(shù)屬性 | IS41C16257C 封裝/外殼為44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬），40 引線；包裝為卷帶（TR）；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC DRAM 4MBIT PARALLEL 40TSOP |
| 功能描述 | 4Mb DRAM WITH FAST PAGE MODE |
| 封裝外殼 | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬），40 引線 |
| 文件大小 |
361.47 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
20 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Integrated Silicon Solution Inc |
| 企業(yè)簡稱 |
ISSI【北京矽成】 |
| 中文名稱 | 北京矽成半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-5-6 18:18:00 |
| 人工找貨 | IS41C16257C價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IS41C16257C規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
The ISSI IS41C16257C/IS41LV16257C is 262,144 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memories. Fast Page Mode allows 512 random accesses within a single row with access cycle time as short as 12 ns per 16-bit word. The Byte Write control, of upper and lower byte, makes these devices ideal for use in 16- and 32-bit wide data bus systems.
FEATURES
? Fast access and cycle time
? TTL compatible inputs and outputs
? Refresh Interval: 512 cycles/8 ms
? Refresh Mode: RAS-Only, CAS-before-RAS (CBR), and Hidden
? JEDEC standard pinout
? Single power supply:
5V ± 10 (IS41C16257C)
3.3V ± 10 (IS41LV16257C)
? Byte Write and Byte Read operation via two CAS
? Lead-free available
? Industrial temperature available
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
IS41C16257C-35TLI-TR
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲器
- 包裝：
卷帶（TR）
- 存儲器類型：
易失
- 存儲器格式：
DRAM
- 技術(shù)：
DRAM - FP
- 存儲容量：
4Mb（256K x 16）
- 存儲器接口：
并聯(lián)
- 電壓 - 供電：
4.5V ~ 5.5V
- 工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬），40 引線
- 供應(yīng)商器件封裝：
40-TSOP
- 描述：
IC DRAM 4MBIT PARALLEL 40TSOP
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI |
1844+ |
TSOP40 |
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