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IS41LV16256集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

IS41LV16256
廠商型號

IS41LV16256

參數(shù)屬性

IS41LV16256 封裝/外殼為44-TSOP(0.400",10.16mm 寬),40 引線;包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC DRAM 4MBIT PARALLEL 40TSOP

功能描述

256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

文件大小

215.66 Kbytes

頁面數(shù)量

20

生產(chǎn)廠商 Integrated Circuit Solution Inc
企業(yè)簡稱

ICSI

中文名稱

Integrated Circuit Solution Inc官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2024-12-23 10:50:00

IS41LV16256規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The ICSI IS41C16256 and IS41LV16256 is a 262,144 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memories. The IS41C16256 offer an accelerated cycle access called EDO Page Mode. EDO Page Mode allows 512 random accesses within a single row with access cycle time as short as 10 ns per 16-bit word. The Byte Write control, of upper and lower byte, makes the IS41C16256 ideal for use in 16-, 32-bit wide data bus systems.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IS41LV16256C-35TLI-TR

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    DRAM

  • 技術(shù):

    DRAM - EDO

  • 存儲容量:

    4Mb(256K x 16)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    44-TSOP(0.400",10.16mm 寬),40 引線

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    40-TSOP

  • 描述:

    IC DRAM 4MBIT PARALLEL 40TSOP

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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