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IS42S16100C1-7BLI

512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S16100C1-7BLI

Package：60-TFBGA；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16100C1-7BLI-TR

Package：60-TFBGA；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16100C1-7T

512KWordsx16Bitsx2Banks(16-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

DESCRIPTION ISSI’s16MbSynchronousDRAMIS42S16100C1isorganizedasa524,288-wordx16-bitx2-bankforimprovedperformance.ThesynchronousDRAMsachievehigh-speeddatatransferusingpipelinearchitecture.Allinputsandoutputssignalsrefertotherisingedgeoftheclockinput. FEATURE

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

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IS42S16100C1-7T

512KWordsx16Bitsx2Banks(16-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S16100C1-7TI

512KWordsx16Bitsx2Banks(16-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S16100C1-7TI

512KWordsx16Bitsx2Banks(16-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

DESCRIPTION ISSI’s16MbSynchronousDRAMIS42S16100C1isorganizedasa524,288-wordx16-bitx2-bankforimprovedperformance.ThesynchronousDRAMsachievehigh-speeddatatransferusingpipelinearchitecture.Allinputsandoutputssignalsrefertotherisingedgeoftheclockinput. FEATURE

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S16100C1-7TL

512KWordsx16Bitsx2Banks(16-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

DESCRIPTION ISSI’s16MbSynchronousDRAMIS42S16100C1isorganizedasa524,288-wordx16-bitx2-bankforimprovedperformance.ThesynchronousDRAMsachievehigh-speeddatatransferusingpipelinearchitecture.Allinputsandoutputssignalsrefertotherisingedgeoftheclockinput. FEATURE

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S16100C1-7TL

512KWordsx16Bitsx2Banks(16-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S16100C1-7TLI

512KWordsx16Bitsx2Banks(16-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

DESCRIPTION ISSI’s16MbSynchronousDRAMIS42S16100C1isorganizedasa524,288-wordx16-bitx2-bankforimprovedperformance.ThesynchronousDRAMsachievehigh-speeddatatransferusingpipelinearchitecture.Allinputsandoutputssignalsrefertotherisingedgeoftheclockinput. FEATURE

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S16100C1-7TLI

512KWordsx16Bitsx2Banks(16-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IS42S16100C1-7BLI

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲(chǔ)器類型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    DRAM

  • 技術(shù)：

    SDRAM

  • 存儲(chǔ)容量：

    16Mb（1M x 16）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    60-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    60-TFBGA（6.4x10.1）

  • 描述：

    IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ISSI
23+
60-TFBGA(6.4x10.1)
36430
專業(yè)分銷產(chǎn)品!原裝正品!價(jià)格優(yōu)勢(shì)!
 詢價(jià)
ISSI
22+
BGA
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原裝正品現(xiàn)貨,可開(kāi)13個(gè)點(diǎn)稅
 詢價(jià)
ISSI, Integrated Silicon Solut
21+
60-FBGA
5280
進(jìn)口原裝!長(zhǎng)期供應(yīng)!絕對(duì)優(yōu)勢(shì)價(jià)格(誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)
 詢價(jià)
ISSI, Integrated Silicon Solut
24+
60-TFBGA(6.4x10.1)
56200
一級(jí)代理/放心采購(gòu)
 詢價(jià)
ISSI
20+
BGA-60
1001
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!
 詢價(jià)
ISSI
21+
BGA
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價(jià)
ISSI
BGA
98000
詢價(jià)
ISSI
10+
BGA
83
詢價(jià)
ISSI, Integrated Silicon Solu
23+
60-TFBGA6.4x10.1
7300
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
 詢價(jià)
ISSI, Integrated Silicon Solu
23+
60-TFBGA6.4x10.1
7300
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
 詢價(jià)
更多IS42S16100C1-7BLI供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-19 10:50:00

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