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IS42S32400E-7TLI集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
IS42S32400E-7TLI |
參數(shù)屬性 | IS42S32400E-7TLI 封裝/外殼為86-TFSOP(0.400",10.16mm 寬);包裝為管件;類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II |
功能描述 | 4M x 32 128Mb SYNCHRONOUS DRAM |
文件大小 |
895.21 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
60 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Integrated Silicon Solution Inc |
企業(yè)簡稱 |
ISSI【北京矽成】 |
中文名稱 | 北京矽成半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-3 19:53:00 |
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OVERVIEW
ISSIs 128Mb Synchronous DRAM achieves high-speed data transfer using pipeline architecture. All inputs and outputs signals refer to the rising edge of the clock input. The 128Mb SDRAM is organized in 1Meg x 32 bit x 4 Banks.
FEATURES
? Clock frequency: 166, 143, 133 MHz
? Fully synchronous; all signals referenced to a positive clock edge
? Internal bank for hiding row access/precharge
? Single Power supply: 3.3V + 0.3V
? LVTTL interface
? Programmable burst length – (1, 2, 4, 8, full page)
? Programmable burst sequence: Sequential/Interleave
? Auto Refresh (CBR)
? Self Refresh
? 4096 refresh cycles every 16ms (A2 grade) or 64 ms (Commercial, Industrial, A1 grade)
? Random column address every clock cycle
? Programmable CAS latency (2, 3 clocks)
? Burst read/write and burst read/single write operations capability
? Burst termination by burst stop and precharge command
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
IS42S32400E-7TLI
- 制造商:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲器
- 包裝:
管件
- 存儲器類型:
易失
- 存儲器格式:
DRAM
- 技術(shù):
SDRAM
- 存儲容量:
128Mb(4M x 32)
- 存儲器接口:
并聯(lián)
- 電壓 - 供電:
3V ~ 3.6V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
86-TFSOP(0.400",10.16mm 寬)
- 供應(yīng)商器件封裝:
86-TSOP II
- 描述:
IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI |
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