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IS42S32800G

256Mb SYNCHRONOUS DRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S32800G-6B

256Mb SYNCHRONOUS DRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S32800G-6BI

256Mb SYNCHRONOUS DRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S32800G-6BL

256Mb SYNCHRONOUS DRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S32800G-6BLI

256Mb SYNCHRONOUS DRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S32800G-7B

256Mb SYNCHRONOUS DRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S32800G-7BI

256Mb SYNCHRONOUS DRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S32800G-7BL

256Mb SYNCHRONOUS DRAM

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IS42S32800G-7BLI

256Mb SYNCHRONOUS DRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS42S32800G-6BI-TR

Package:90-TFBGA;包裝:卷帶(TR) 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

詳細參數(shù)

  • 型號:

    IS42S32800G

  • 功能描述:

    動態(tài)隨機存取存儲器 256M 8Mx32 166Mhz S動態(tài)隨機存取存儲器, 3.3v

  • RoHS:

  • 制造商:

    ISSI

  • 數(shù)據(jù)總線寬度:

    16 bit

  • 組織:

    1 M x 16

  • 封裝/箱體:

    SOJ-42

  • 存儲容量:

    16 MB

  • 訪問時間:

    50 ns

  • 電源電壓-最大:

    7 V

  • 電源電壓-最?。?/span>

    - 1 V

  • 最大工作電流:

    90 mA

  • 最大工作溫度:

    + 85 C

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ISSI
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正品原裝--自家現(xiàn)貨-實單可談
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原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠;
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保證進口原裝可開17%增值稅發(fā)票
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百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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更多IS42S32800G供應(yīng)商 更新時間2025-2-8 16:20:00