IS43DR16128B-25EBLI_集成電路(IC) 存儲(chǔ)器-北京矽成

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原廠料號(hào):IS43DR16128B-25EBLI品牌:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

資料說明:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA

IS43DR16128B-25EBLI是集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器。制造商ISSI/北京矽成生產(chǎn)封裝84-TFBGA的IS43DR16128B-25EBLI存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號(hào):

    is43dr16128b-25ebli

  • 規(guī)格書:

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  • 企業(yè)簡稱:

    ISSI【北京矽成】詳情

  • 廠商全稱:

    Integrated Silicon Solution Inc

  • 中文名稱:

    北京矽成半導(dǎo)體有限公司

  • 資料說明:

    IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IS43DR16128B-25EBLI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲(chǔ)器類型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    DRAM

  • 技術(shù):

    SDRAM - DDR2

  • 存儲(chǔ)容量:

    2Gb(128M x 16)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁:

    15ns

  • 電壓 - 供電:

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    84-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    84-TW-BGA(10.5x13.5)

  • 描述:

    IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA

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