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IS43DR16128B-25EBLI

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：84-TFBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS43DR16128B-25EBLI-TR

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：84-TFBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IS43DR16128B-25EBLI

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    DRAM

  • 技術(shù)：

    SDRAM - DDR2

  • 存儲容量：

    2Gb（128M x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    15ns

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    84-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    84-TW-BGA（10.5x13.5）

  • 描述：

    IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IS43DR16128B-25EBLI供應(yīng)商 更新時間2024-11-18 11:51:00

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