首頁>IS43DR16128B-3DBL>詳情

IS43DR16128B-3DBL 集成電路（IC）存儲器 ISSI/北京矽成

IS43DR16128B-3DBL參考圖片

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：IS43DR16128B-3DBL品牌：ISSI

公司優(yōu)勢庫存 熱賣中!

IS43DR16128B-3DBL是集成電路（IC） > 存儲器。制造商ISSI/ISSI, Integrated Silicon Solution Inc生產(chǎn)封裝84-TFBGA的IS43DR16128B-3DBL存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。

  • 芯片型號：

    IS43DR16128B-3DBL

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    ISSI【北京矽成】詳情

  • 廠商全稱：

    Integrated Silicon Solution Inc

  • 中文名稱：

    北京矽成半導(dǎo)體有限公司

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    IS43DR16128B-3DBL

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    DRAM

  • 技術(shù)：

    SDRAM - DDR2

  • 存儲容量：

    2Gb（128M x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    15ns

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 85°C（TC）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    84-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    84-TW-BGA（10.5x13.5）

  • 描述：

    IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    標(biāo)準(zhǔn)國際(香港)有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    康小姐

  • 手機：

    13714976628

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-83206150/83258002/83223169

  • 傳真：

    0755-83617149

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813

相近型號