IS43DR16320C-3DBLI 集成電路（IC）存儲器 ISSI/北京矽成

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廠家型號：
IS43DR16320C-3DBLI
產(chǎn)品分類：
芯片
生產(chǎn)廠商：
ISSI/北京矽成
庫存數(shù)量：
6358
產(chǎn)品封裝：
BGA-84
生產(chǎn)批號：
23+
庫存類型：
優(yōu)勢庫存
更新時間：
2024-11-18 11:32:00

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原廠料號：IS43DR16320C-3DBLI品牌：ISSI

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IS43DR16320C-3DBLI是集成電路（IC） > 存儲器。制造商ISSI/ISSI, Integrated Silicon Solution Inc生產(chǎn)封裝BGA-84/84-TFBGA的IS43DR16320C-3DBLI存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。

芯片型號：
IS43DR16320C-3DBLI
規(guī)格書：
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企業(yè)簡稱：
ISSI【北京矽成】詳情
廠商全稱：
Integrated Silicon Solution Inc
中文名稱：
北京矽成半導體有限公司

產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號：
IS43DR16320C-3DBLI
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
類別：
集成電路（IC） > 存儲器
包裝：
卷帶（TR）
存儲器類型：
易失
存儲器格式：
DRAM
技術：
SDRAM - DDR2
存儲容量：
512Mb（32M x 16）
存儲器接口：
并聯(lián)
寫周期時間 - 字，頁：
15ns
電壓 - 供電：
1.7V ~ 1.9V
工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
84-TFBGA
供應商器件封裝：
84-TWBGA（8x12.5）
描述：
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA

供應商

企業(yè)：
深圳市華睿芯科技有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯(lián)系人：
張經(jīng)理
手機：
18675544552
詢價：
電話：
18675544552
地址：
深圳市福田中航路都會100大廈B座10Q

IS43DR16320C-3DBLI 集成電路（IC）存儲器 ISSI/北京矽成

IS43DR16320C-3DBLI

產(chǎn)品屬性

供應商

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