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IS43DR86400E-3DBLI-TR_集成電路（IC） 存儲器-ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

訂購數(shù)量 價格
2000+
  • 廠家型號：

    IS43DR86400E-3DBLI-TR

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 庫存數(shù)量：

    0

  • 類別：

    集成電路（IC） 存儲器

  • 封裝外殼：

    60-TFBGA

  • 包裝：

    托盤

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 更新時間：

    2024-12-29 13:01:00

  • 詳細信息
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原廠料號：IS43DR86400E-3DBLI-TR品牌：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

資料說明：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA

IS43DR86400E-3DBLI-TR是集成電路（IC） > 存儲器。制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc生產(chǎn)封裝60-TFBGA的IS43DR86400E-3DBLI-TR存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號：

    is43dr86400e-3dbli-tr

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 資料說明：

    IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    IS43DR86400E-3DBLI-TR

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    DRAM

  • 技術：

    SDRAM - DDR2

  • 存儲容量：

    512Mb（64M x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    15ns

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    60-TFBGA

  • 供應商器件封裝：

    60-TWBGA（8x10.5）

  • 描述：

    IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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