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IS43LR32800G集成電路（IC）存儲器規(guī)格書PDF中文資料

IS43LR32800G
廠商型號

IS43LR32800G
參數(shù)屬性

IS43LR32800G 封裝/外殼為90-TFBGA；包裝為托盤；類別為集成電路（IC） > 存儲器；產(chǎn)品描述：IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA
功能描述

2M x 32Bits x 4Banks Mobile DDR SDRAM
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA
文件大小

2.17224 Mbytes
頁面數(shù)量

47 頁
生產(chǎn)廠商 Integrated Silicon Solution Inc
企業(yè)簡稱

ISSI【北京矽成】

中文名稱

北京矽成半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二
更新時間

2024-11-17 22:59:00

IS43LR32800G規(guī)格書詳情

IS43LR32800G屬于集成電路（IC） > 存儲器。北京矽成半導(dǎo)體有限公司制造生產(chǎn)的IS43LR32800G存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    IS43LR32800G-6BLI

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    DRAM

  • 技術(shù)：

    SDRAM - 移動 LPDDR

  • 存儲容量：

    256Mb（8M x 32）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    15ns

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    90-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    90-TFBGA（8x13）

  • 描述：

    IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ISSI(美國芯成)
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TFBGA90(8x13)
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