IS43R16800E-5TLI 集成電路（IC）存儲器 ISSI/北京矽成

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廠家型號：
IS43R16800E-5TLI
產(chǎn)品分類：
芯片
生產(chǎn)廠商：
ISSI/北京矽成
庫存數(shù)量：
41961
產(chǎn)品封裝：
TSOP66
生產(chǎn)批號：
存儲器
庫存類型：
熱賣庫存
更新時間：
2024-11-15 17:41:00

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原廠料號：IS43R16800E-5TLI品牌：ISSI

ISSI原裝存儲芯片-誠信為本

IS43R16800E-5TLI是集成電路（IC） > 存儲器。制造商ISSI/ISSI, Integrated Silicon Solution Inc生產(chǎn)封裝TSOP66/66-TSSOP（szeroko?? 0，400"，10，16mm）的IS43R16800E-5TLI存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。

芯片型號：
IS43R16800E-5TLI
規(guī)格書：
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企業(yè)簡稱：
ISSI【北京矽成】詳情
廠商全稱：
Integrated Silicon Solution Inc
中文名稱：
北京矽成半導體有限公司

產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號：
IS43R16800E-5TLI
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
類別：
集成電路（IC） > 存儲器
包裝：
卷帶（TR）
存儲器類型：
易失
存儲器格式：
DRAM
技術：
SDRAM - DDR
存儲容量：
128Mb（8M x 16）
存儲器接口：
并聯(lián)
寫周期時間 - 字，頁：
15ns
電壓 - 供電：
2.3V ~ 2.7V
工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
66-TSSOP（szeroko?? 0，400"，10，16mm）
供應商器件封裝：
66-TSOP II
描述：
IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II

供應商

企業(yè)：
中天科工半導體（深圳）有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯(lián)系人：
李先生
手機：
13128990370
詢價：
電話：
13128990370/微信同號
傳真：
原裝正品
地址：
深圳市福田區(qū)賽格廣場54層5406-5406B

IS43R16800E-5TLI 集成電路（IC）存儲器 ISSI/北京矽成

IS43R16800E-5TLI

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