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IS43TR16256A-093NBLI-TR

包裝:散裝 封裝/外殼:96-TFBGA 類(lèi)別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS43TR16256A-093NBL

512Mx8,256Mx164GbDDR3SDRAM

FEATURES ●StandardVoltage:VDDandVDDQ=1.5V±0.075V ●LowVoltage(L):VDDandVDDQ=1.35V+0.1V,-0.067V -Backwardcompatibleto1.5V ●Highspeeddatatransferrateswithsystemfrequencyupto1066MHz ●8internalbanksforconcurrentoperation ●8n-Bitpre-fetcharchitecture

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS43TR16256A-093NBLI

512Mx8,256Mx164GbDDR3SDRAM

FEATURES ●StandardVoltage:VDDandVDDQ=1.5V±0.075V ●LowVoltage(L):VDDandVDDQ=1.35V+0.1V,-0.067V -Backwardcompatibleto1.5V ●Highspeeddatatransferrateswithsystemfrequencyupto1066MHz ●8internalbanksforconcurrentoperation ●8n-Bitpre-fetcharchitecture

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IS43TR16256A-093NBLI-TR

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類(lèi)別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q100

  • 包裝:

    散裝

  • 存儲(chǔ)器類(lèi)型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    DRAM

  • 技術(shù):

    SDRAM - DDR3

  • 存儲(chǔ)容量:

    4Gb(256M x 16)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字,頁(yè):

    15ns

  • 電壓 - 供電:

    1.425V ~ 1.575V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 95°C(TC)

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    96-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    96-TWBGA(9x13)

  • 描述:

    IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ISSI, Integrated Silicon Solut
2年內(nèi)批號(hào)
96-TWBGA(9x13)
4800
只供原裝進(jìn)口公司現(xiàn)貨+可訂貨
詢(xún)價(jià)
ISSI Integrated Silicon Solut
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獨(dú)立分銷(xiāo)商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證
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ISSI, Integrated Silicon Solut
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84-TFBGA
5280
進(jìn)口原裝!長(zhǎng)期供應(yīng)!絕對(duì)優(yōu)勢(shì)價(jià)格(誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)
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ISSI, Integrated Silicon Solut
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INTEGRATED SILICON SOLUTION
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ISSI, Integrated Silicon Solu
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專(zhuān)注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
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更多IS43TR16256A-093NBLI-TR供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-8 9:08:00