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IS61DDB21M36-250M3 集成電路（IC）存儲器 ISSI/北京矽成

IS61DDB21M36-250M3參考圖片

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原廠料號：IS61DDB21M36-250M3品牌：ISSI

全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨

IS61DDB21M36-250M3是集成電路（IC） > 存儲器。制造商ISSI/ISSI, Integrated Silicon Solution Inc生產(chǎn)封裝BGA/165-LBGA的IS61DDB21M36-250M3存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。

  • 芯片型號：

    IS61DDB21M36-250M3

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    ISSI【北京矽成】詳情

  • 廠商全稱：

    Integrated Silicon Solution Inc

  • 中文名稱：

    北京矽成半導(dǎo)體有限公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    25 頁

  • 文件大?。?/span>

    550.18 kb

  • 資料說明：

    36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    IS61DDB21M36-250M3

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 同步，DDR II

  • 存儲容量：

    36Mb（1M x 36）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    1.71V ~ 1.89V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    165-LBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    165-LFBGA（13x15）

  • 描述：

    IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市安富世紀(jì)電子有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    謝云

  • 手機：

    19924902278

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-83204142

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場A棟17e

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