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IS61DDB21M36-250M3

36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61DDB21M36-250M3

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：165-LBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61DDB21M36-250M3L

包裝：托盤 封裝/外殼：165-LBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IS61DDB21M36-250M3

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 同步，DDR II

  • 存儲容量：

    36Mb（1M x 36）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    1.71V ~ 1.89V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    165-LBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    165-LFBGA（13x15）

  • 描述：

    IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA

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更多IS61DDB21M36-250M3供應(yīng)商 更新時間2024-11-20 16:30:00

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