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IS61DDB21M36-250M3集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

IS61DDB21M36-250M3
廠商型號

IS61DDB21M36-250M3

參數(shù)屬性

IS61DDB21M36-250M3 封裝/外殼為165-LBGA;包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA

功能描述

36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs

封裝外殼

165-LBGA

文件大小

550.18 Kbytes

頁面數(shù)量

25

生產(chǎn)廠商 Integrated Silicon Solution Inc
企業(yè)簡稱

ISSI北京矽成

中文名稱

北京矽成半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-1-18 16:38:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IS61DDB21M36-250M3

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 同步,DDR II

  • 存儲容量:

    36Mb(1M x 36)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    1.71V ~ 1.89V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    165-LBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    165-LFBGA(13x15)

  • 描述:

    IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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