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IS61DDB24M18-300M3L

72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS61DDB24M18-300M3

72Mb(2Mx36&4Mx18)DDR-II(Burstof2)CIOSynchronousSRAMs

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IS61DDB24M18-300M3L

  • 功能描述：

    靜態(tài)隨機存取存儲器 36M(2Mx18) 300MHz Commercial Temp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Cypress Semiconductor

  • 存儲容量：

    16 Mbit

  • 組織：

    1 M x 16

  • 訪問時間：

    55 ns

  • 電源電壓-最大：

    3.6 V

  • 電源電壓-最?。?/span>

    2.2 V

  • 最大工作電流：

    22 uA

  • 最大工作溫度：

    + 85 C

  • 最小工作溫度：

    - 40 C

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    TSOP-48

  • 封裝：

    Tray

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IS61DDB24M18-300M3L供應商 更新時間2024-11-20 17:21:00

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