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IS61DDB24M18-300M3L中文資料北京矽成數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IS61DDB24M18-300M3L
廠商型號

IS61DDB24M18-300M3L

功能描述

72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs

文件大小

624.46 Kbytes

頁面數(shù)量

25

生產(chǎn)廠商 Integrated Silicon Solution Inc
企業(yè)簡稱

ISSI北京矽成

中文名稱

北京矽成半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2024-11-20 23:52:00

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IS61DDB24M18-300M3L

  • 功能描述:

    靜態(tài)隨機存取存儲器 36M(2Mx18) 300MHz Commercial Temp

  • RoHS:

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor

  • 存儲容量:

    16 Mbit

  • 組織:

    1 M x 16

  • 訪問時間:

    55 ns

  • 電源電壓-最大:

    3.6 V

  • 電源電壓-最?。?/span>

    2.2 V

  • 最大工作電流:

    22 uA

  • 最大工作溫度:

    + 85 C

  • 最小工作溫度:

    - 40 C

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    TSOP-48

  • 封裝:

    Tray

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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