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IS61DDB42M18

36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) DDR-II (Burst of 4) CIO Synchronous SRAMs

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS61DDB42M18-250M3

36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) DDR-II (Burst of 4) CIO Synchronous SRAMs

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS61DDB42M18A

Synchronous pipeline read with late write operation

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS61DDB42M18-250M3L

包裝：托盤 封裝/外殼：165-LBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS61DDB42M18A-250M3L

包裝：托盤 封裝/外殼：165-LBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS61DDB42M18C-250M3

包裝：托盤 封裝/外殼：165-LBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IS61DDB42M18

  • 制造商：

    ISSI

  • 制造商全稱：

    Integrated Silicon Solution, Inc

  • 功能描述：

    36 Mb(1M x 36 & 2M x 18) DDR-II(Burst of 4) CIO Synchronous SRAMs

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ISSI
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165-FBGA(15x17)
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公司只售原裝,支持實單
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更多IS61DDB42M18供應商 更新時間2024-11-20 16:30:00

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