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IS61DDB42M18-250M3集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料
廠商型號(hào) |
IS61DDB42M18-250M3 |
參數(shù)屬性 | IS61DDB42M18-250M3 封裝/外殼為165-LBGA;包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA |
功能描述 | 36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) DDR-II (Burst of 4) CIO Synchronous SRAMs |
封裝外殼 | 165-LBGA |
文件大小 |
515.57 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
26 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Integrated Silicon Solution Inc |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ISSI【北京矽成】 |
中文名稱 | 北京矽成半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-1-18 16:38:00 |
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產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
IS61DDB42M18-250M3
- 制造商:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器
- 包裝:
卷帶(TR)
- 存儲(chǔ)器類型:
易失
- 存儲(chǔ)器格式:
SRAM
- 技術(shù):
SRAM - 同步,DDR II
- 存儲(chǔ)容量:
36Mb(2M x 18)
- 存儲(chǔ)器接口:
并聯(lián)
- 電壓 - 供電:
1.71V ~ 1.89V
- 工作溫度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
165-LBGA
- 供應(yīng)商器件封裝:
165-LFBGA(15x17)
- 描述:
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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