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IS61LPD102418A-250B3

512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM

DESCRIPTION TheISSIIS61LPD/VPD51236AandIS61LPD/VPD102418Aarehigh-speed,low-powersynchronousstaticRAMsdesignedtoprovideburstable,high-performancememoryforcommunicationandnetworkingapplications.TheIS61LPD/VPD51236Aisorganizedas524,288wordsby36bits,andtheIS61LPD/VPD1

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61LPD102418A-250B3

包裝:托盤 封裝/外殼:165-TBGA 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61LPD102418A-250B3I

512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM

DESCRIPTION TheISSIIS61LPD/VPD51236AandIS61LPD/VPD102418Aarehigh-speed,low-powersynchronousstaticRAMsdesignedtoprovideburstable,high-performancememoryforcommunicationandnetworkingapplications.TheIS61LPD/VPD51236Aisorganizedas524,288wordsby36bits,andtheIS61LPD/VPD1

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61LPD102418A-250B3I-TR

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:165-TBGA 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61LPD102418A-250B3-TR

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:165-TBGA 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IS61LPD102418A-250B3

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 四端口,同步

  • 存儲容量:

    18Mb(1M x 18)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    165-TBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    165-PBGA(13x15)

  • 描述:

    IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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