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IS61LPD25636A-200TQLI-TR

包裝:托盤 封裝/外殼:100-LQFP 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61LPD25636A-200TQ

256Kx36,512Kx189MbSYNCHRONOUSPIPELINED,DOUBLECYCLEDESELECTSTATICRAM

DESCRIPTION TheISSIIS61LPD/VPD25636AandIS61LPD/VPD51218Aarehigh-speed,low-powersynchronousstaticRAMsdesignedtoprovideburstable,high-performancememoryforcommunicationandnetworkingapplications.TheIS61LPD/VPD25636Aisorganizedas262,144wordsby36bits,andtheIS61LPD/VPD5

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61LPD25636A-200TQI

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IS61LPD25636A-200TQLI-TR

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 同步,SDR

  • 存儲(chǔ)容量:

    9Mb(256K x 36)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    100-LQFP

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    100-LQFP(14x20)

  • 描述:

    IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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