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IS61LPS12836EC-200TQ集成電路（IC）存儲(chǔ)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料

IS61LPS12836EC-200TQ
廠商型號(hào)

IS61LPS12836EC-200TQ
參數(shù)屬性

IS61LPS12836EC-200TQ 封裝/外殼為100-LQFP；包裝為托盤(pán)；類(lèi)別為集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100LQFP
功能描述

128K x36/32 and 256K x18 4Mb, ECC, SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT SRAM
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100LQFP
文件大小

2.32368 Mbytes
頁(yè)面數(shù)量

36 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Integrated Silicon Solution Inc
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

ISSI【北京矽成】

中文名稱(chēng)

北京矽成半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二
更新時(shí)間

2024-11-20 22:59:00

IS61LPS12836EC-200TQ規(guī)格書(shū)詳情

IS61LPS12836EC-200TQ屬于集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器。北京矽成半導(dǎo)體有限公司制造生產(chǎn)的IS61LPS12836EC-200TQ存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IS61LPS12836EC-200TQLI-TR

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類(lèi)別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    托盤(pán)

  • 存儲(chǔ)器類(lèi)型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 同步，SDR

  • 存儲(chǔ)容量：

    4.5Mb（128K x 36）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    100-LQFP

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    100-LQFP（14x20）

  • 描述：

    IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100LQFP

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ISSI(美國(guó)芯成)
23+
TQFP100(14x20)
7350
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ISSI(美國(guó)芯成)
23+
LQFP100(14x20)
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ISSI Integrated Silicon Soluti
23+/24+
100-LQFP
8600
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ISSI(美國(guó)芯成)
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ISSI
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9550
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ISSI(美國(guó)芯成)
2021+
LQFP-100(14x20)
499
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ISSI, Integrated Silicon Solut
21+
100-LQFP(14x20)
56200
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 詢價(jià)
ISSI
24+
TQFP100
56000
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 詢價(jià)

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