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IS61LV12816L-10BLI	文件：112.45 Kbytes Page：16 Pages	128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY DESCRIPTION TheISSIIS61LV12816Lisahigh-speed,2,097,152-bitstaticRAMorganizedas131,072wordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldsaccesstimesasfastas8nsw	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司	ISSI
IS61LV12816L-10BLI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：48-TFBGA 類別：集成電路（IC）存儲器描述：IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48MINIBGA	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司	ISSI
IS61LV12816L-10BLI-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：48-TFBGA 類別：集成電路（IC）存儲器描述：IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48MINIBGA	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司	ISSI
IS61LV12816L-10BI	文件：112.45 Kbytes Page：16 Pages	128Kx16HIGH-SPEEDCMOSSTATICRAMWITH3.3VSUPPLY DESCRIPTION TheISSIIS61LV12816Lisahigh-speed,2,097,152-bitstaticRAMorganizedas131,072wordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldsaccesstimesasfastas8nsw	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司	ISSI
IS61LV12816L-10LQI	文件：112.45 Kbytes Page：16 Pages	128Kx16HIGH-SPEEDCMOSSTATICRAMWITH3.3VSUPPLY DESCRIPTION TheISSIIS61LV12816Lisahigh-speed,2,097,152-bitstaticRAMorganizedas131,072wordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldsaccesstimesasfastas8nsw	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司	ISSI
IS61LV12816L-10LQLI	文件：112.45 Kbytes Page：16 Pages	128Kx16HIGH-SPEEDCMOSSTATICRAMWITH3.3VSUPPLY DESCRIPTION TheISSIIS61LV12816Lisahigh-speed,2,097,152-bitstaticRAMorganizedas131,072wordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldsaccesstimesasfastas8nsw	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司	ISSI
IS61LV12816L-10T	文件：112.45 Kbytes Page：16 Pages	128Kx16HIGH-SPEEDCMOSSTATICRAMWITH3.3VSUPPLY DESCRIPTION TheISSIIS61LV12816Lisahigh-speed,2,097,152-bitstaticRAMorganizedas131,072wordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldsaccesstimesasfastas8nsw	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司	ISSI
IS61LV12816L-10TI	文件：112.45 Kbytes Page：16 Pages	128Kx16HIGH-SPEEDCMOSSTATICRAMWITH3.3VSUPPLY DESCRIPTION TheISSIIS61LV12816Lisahigh-speed,2,097,152-bitstaticRAMorganizedas131,072wordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldsaccesstimesasfastas8nsw	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司	ISSI
IS61LV12816L-10TL	文件：112.45 Kbytes Page：16 Pages	128Kx16HIGH-SPEEDCMOSSTATICRAMWITH3.3VSUPPLY DESCRIPTION TheISSIIS61LV12816Lisahigh-speed,2,097,152-bitstaticRAMorganizedas131,072wordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldsaccesstimesasfastas8nsw	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司	ISSI
IS61LV12816L-10TLI	文件：112.45 Kbytes Page：16 Pages	128Kx16HIGH-SPEEDCMOSSTATICRAMWITH3.3VSUPPLY DESCRIPTION TheISSIIS61LV12816Lisahigh-speed,2,097,152-bitstaticRAMorganizedas131,072wordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldsaccesstimesasfastas8nsw	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司	ISSI

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
IS61LV12816L-10BLI
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
類別：
集成電路（IC） > 存儲器
包裝：
卷帶（TR）
存儲器類型：
易失
存儲器格式：
SRAM
技術(shù)：
SRAM - 異步
存儲容量：
2Mb（128K x 16）
存儲器接口：
并聯(lián)
寫周期時間 - 字，頁：
10ns
電壓 - 供電：
3.135V ~ 3.6V
工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
48-TFBGA
供應(yīng)商器件封裝：
48-TFBGA（6x8）
描述：
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48MINIBGA

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