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IS61LV12816L-8T集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

IS61LV12816L-8T
廠商型號

IS61LV12816L-8T

參數(shù)屬性

IS61LV12816L-8T 封裝/外殼為44-TSOP(0.400",10.16mm 寬);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II

功能描述

128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY

封裝外殼

44-TSOP(0.400",10.16mm 寬)

文件大小

112.45 Kbytes

頁面數(shù)量

16

生產(chǎn)廠商 Integrated Silicon Solution Inc
企業(yè)簡稱

ISSI北京矽成

中文名稱

北京矽成半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-1-18 17:21:00

IS61LV12816L-8T規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The ISSI IS61LV12816L is a high-speed, 2,097,152-bit static RAM organized as 131,072 words by 16 bits. It is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields access times as fast as 8 ns with low power consumption.

FEATURES

? High-speed access time: 8, 10 ns

? Operating Current: 50mA (typ.)

? Stand by Current: 700μA (typ.)

? TTL and CMOS compatible interface levels

? Single 3.3V power supply

? Fully static operation: no clock or refresh required

? Three state outputs

? Data control for upper and lower bytes

? Industrial temperature available

? Lead-free available

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IS61LV12816L-8TL-TR

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 異步

  • 存儲容量:

    2Mb(128K x 16)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    8ns

  • 電壓 - 供電:

    3.135V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    44-TSOP(0.400",10.16mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    44-TSOP II

  • 描述:

    IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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