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IS61LV51216-10M

512Kx16HIGHSPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAMWITH3.3VSUPPLY

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS61LV51216-10M

512Kx16HIGHSPEEDASYNCHRONOUS

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS61LV51216-10MI

512Kx16HIGHSPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAMWITH3.3VSUPPLY

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS61LV51216-10MI

512Kx16HIGHSPEEDASYNCHRONOUS

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS61LV51216-10MLI

512Kx16HIGHSPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAMWITH3.3VSUPPLY

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

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IS61LV51216-10T

512Kx16HIGHSPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAMWITH3.3VSUPPLY

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS61LV51216-10T

512Kx16HIGHSPEEDASYNCHRONOUS

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

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IS61LV51216-10TI

512Kx16HIGHSPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAMWITH3.3VSUPPLY

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

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IS61LV51216-10TI

512Kx16HIGHSPEEDASYNCHRONOUS

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS61LV51216-10TLI

512Kx16HIGHSPEEDASYNCHRONOUS

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS61LV51216-10TLI

512Kx16HIGHSPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAMWITH3.3VSUPPLY

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

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詳細參數

  • 型號:

    IS61LV51216-10T-TR

  • 功能描述:

    靜態(tài)隨機存取存儲器 8Mb 512Kx16 10ns 3.3v

  • RoHS:

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor

  • 存儲容量:

    16 Mbit

  • 組織:

    1 M x 16

  • 訪問時間:

    55 ns

  • 電源電壓-最大:

    3.6 V

  • 電源電壓-最?。?/span>

    2.2 V

  • 最大工作電流:

    22 uA

  • 最大工作溫度:

    + 85 C

  • 最小工作溫度:

    - 40 C

  • 安裝風格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    TSOP-48

  • 封裝:

    Tray

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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