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IS61NVF102418-7.5B3I-TR

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:165-TBGA 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61NVF102418-7.5B3

256Kx72,512Kx36and1Mx1818Mb,FLOWTHROUGH(NOWAIT)STATEBUSSRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61NVF102418-7.5B3I

256Kx72,512Kx36and1Mx1818Mb,FLOWTHROUGH(NOWAIT)STATEBUSSRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IS61NVF102418-7.5B3I-TR

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 同步,SDR

  • 存儲容量:

    18Mb(1M x 18)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    2.375V ~ 2.625V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    165-TBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    165-TFBGA(13x15)

  • 描述:

    IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA

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ISSI, Integrated Silicon Solut
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更多IS61NVF102418-7.5B3I-TR供應(yīng)商 更新時間2024-11-18 13:02:00