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IS61NVF51236-7.5TQI

256K x 72, 512K x 36 and 1M x 18 18Mb, FLOW THROUGH (NO WAIT) STATE BUS SRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS61NVF51236-7.5TQI

包裝:托盤 封裝/外殼:100-LQFP 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS61NVF51236-7.5TQI-TR

包裝:托盤 封裝/外殼:100-LQFP 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS61NVF51236-7.5TQ

256Kx72,512Kx36and1Mx1818Mb,FLOWTHROUGH(NOWAIT)STATEBUSSRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IS61NVF51236-7.5TQI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術:

    SRAM - 同步,SDR

  • 存儲容量:

    18Mb(512K x 36)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    2.375V ~ 2.625V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    100-LQFP

  • 供應商器件封裝:

    100-LQFP(14x20)

  • 描述:

    IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP

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更多IS61NVF51236-7.5TQI供應商 更新時間2024-11-18 16:30:00