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IS61WV25616EDBLL-10BLI集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
![IS61WV25616EDBLL-10BLI](https://oss.114ic.com/img3w/pdf141156.png)
廠商型號 |
IS61WV25616EDBLL-10BLI |
參數(shù)屬性 | IS61WV25616EDBLL-10BLI 封裝/外殼為48-TFBGA;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48MINIBGA |
功能描述 | 256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC |
封裝外殼 | 48-TFBGA |
文件大小 |
751.82 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
14 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Integrated Silicon Solution Inc |
企業(yè)簡稱 |
ISSI【北京矽成】 |
中文名稱 | 北京矽成半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-2-8 23:00:00 |
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產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
IS61WV25616EDBLL-10BLI
- 制造商:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲器
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 存儲器類型:
易失
- 存儲器格式:
SRAM
- 技術(shù):
SRAM - 異步
- 存儲容量:
4Mb(256K x 16)
- 存儲器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字,頁:
10ns
- 電壓 - 供電:
2.4V ~ 3.6V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
48-TFBGA
- 供應(yīng)商器件封裝:
48-TFBGA(6x8)
- 描述:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48MINIBGA
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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