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IS61WV25616EDBLL-10BLI

256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61WV25616EDBLL-10BLI

Package:48-TFBGA;包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48MINIBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV25616EDBLL-10BLI-TR

Package:48-TFBGA;包裝:托盤 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48MINIBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV25616EDBLL-10BI

256Kx16HIGHSPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAMWITHECC

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61WV25616EDBLL-10TI

256Kx16HIGHSPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAMWITHECC

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61WV25616EDBLL-10TLI

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IS61WV25616EDBLL-10TLI-TR

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ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IS61WV25616EDBLL-10BLI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 存儲(chǔ)器類型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 異步

  • 存儲(chǔ)容量:

    4Mb(256K x 16)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁:

    10ns

  • 電壓 - 供電:

    2.4V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    48-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    48-TFBGA(6x8)

  • 描述:

    IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48MINIBGA

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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