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IS61WV25616EDBLL-10TLI-TR集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料

IS61WV25616EDBLL-10TLI-TR
廠商型號(hào)

IS61WV25616EDBLL-10TLI-TR

參數(shù)屬性

IS61WV25616EDBLL-10TLI-TR 封裝/外殼為44-TSOP(0.400",10.16mm 寬);包裝為卷帶(TR);類(lèi)別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II

功能描述

256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC

封裝外殼

44-TSOP(0.400",10.16mm 寬)

文件大小

751.82 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

14 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Integrated Silicon Solution Inc
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ISSI北京矽成

中文名稱

北京矽成半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-1-21 23:00:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IS61WV25616EDBLL-10TLI-TR

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類(lèi)別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲(chǔ)器類(lèi)型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 異步

  • 存儲(chǔ)容量:

    4Mb(256K x 16)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字,頁(yè):

    10ns

  • 電壓 - 供電:

    2.4V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    44-TSOP(0.400",10.16mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    44-TSOP II

  • 描述:

    IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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