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IS61WV25616EDBLL-8BLI

256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS61WV25616EDBLL-8BLI

包裝:托盤 封裝/外殼:48-TFBGA 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:48-TFBGA 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV25616EDBLL-8BI

256Kx16HIGHSPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAMWITHECC

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

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北京矽成北京矽成半導體有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IS61WV25616EDBLL-8BLI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 異步

  • 存儲容量:

    4Mb(256K x 16)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    8ns

  • 電壓 - 供電:

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    48-TFBGA

  • 供應商器件封裝:

    48-TFBGA(6x8)

  • 描述:

    IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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