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IS61WV2568EDBLL-10BLI

256K x 8 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61WV2568EDBLL-10BLI

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:36-TFBGA 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV2568EDBLL-10BLI-TR

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:36-TFBGA 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV2568EDBLL-10BI

256Kx8HIGHSPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAMWITHECC

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61WV2568EDBLL-10KLI

256Kx8HIGHSPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAMWITHECC

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61WV2568EDBLL-10TI

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ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61WV2568EDBLL-10TLI

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ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IS61WV2568EDBLL-10BLI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲(chǔ)器類型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 異步

  • 存儲(chǔ)容量:

    2Mb(256K x 8)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁(yè):

    10ns

  • 電壓 - 供電:

    2.4V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    36-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    36-TFBGA(6x8)

  • 描述:

    IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ISSI(美國(guó)芯成)
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