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IS61WV5128EDBLL-10BLI

512K x 8 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS61WV5128EDBLL-10BLI

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼：36-TFBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS61WV5128EDBLL-10BLI-TR

包裝：托盤 封裝/外殼：36-TFBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS61WV5128EDBLL-10BI

512Kx8HIGHSPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAMWITHECC

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

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IS61WV5128EDBLL-10KLI

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ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

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IS61WV5128EDBLL-10TI

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ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

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IS61WV5128EDBLL-10TLI

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ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IS61WV5128EDBLL-10BLI

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術：

    SRAM - 異步

  • 存儲容量：

    4Mb（512K x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    10ns

  • 電壓 - 供電：

    2.4V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    36-TFBGA

  • 供應商器件封裝：

    36-TFBGA（6x8）

  • 描述：

    IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IS61WV5128EDBLL-10BLI供應商 更新時間2024-11-1 15:09:00

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