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IS61WV5128EDBLL-10KLI-TR

包裝:管件 封裝/外殼:36-BSOJ(0.400",10.16mm 寬) 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

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512Kx8HIGHSPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAMWITHECC

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IS61WV5128EDBLL-10KLI-TR

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    管件

  • 存儲(chǔ)器類型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 異步

  • 存儲(chǔ)容量:

    4Mb(512K x 8)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁(yè):

    10ns

  • 電壓 - 供電:

    2.4V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    36-BSOJ(0.400",10.16mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    36-SOJ

  • 描述:

    IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ISSI(美國(guó)芯成)
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更多IS61WV5128EDBLL-10KLI-TR供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-1 15:00:00