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IS61WV5128EDBLL-10KLI-TR 集成電路（IC）存儲器 ISSI/北京矽成

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原廠料號：IS61WV5128EDBLL-10KLI-TR品牌：ISSI,

原廠原包 深圳現(xiàn)貨 主打品牌 假一賠百 可開票!

IS61WV5128EDBLL-10KLI-TR是集成電路（IC） > 存儲器。制造商ISSI,/ISSI, Integrated Silicon Solution Inc生產(chǎn)封裝36-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）的IS61WV5128EDBLL-10KLI-TR存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。

  • 芯片型號：

    IS61WV5128EDBLL-10KLI-TR

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    ISSI【北京矽成】詳情

  • 廠商全稱：

    Integrated Silicon Solution Inc

  • 中文名稱：

    北京矽成半導(dǎo)體有限公司

  • 資料說明：

    靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 4Mb,High-Speed Low Power,Async

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    IS61WV5128EDBLL-10KLI-TR

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 異步

  • 存儲容量：

    4Mb（512K x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    10ns

  • 電壓 - 供電：

    2.4V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    36-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    36-SOJ

  • 描述：

    IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市冠億通科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    吳小姐

  • 手機(jī)：

    18902317970

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-82578328/15697351502/15820786907

  • 傳真：

    0755-82578318

  • 地址：

    深圳市福田中航路都會100大廈B座10Q

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