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IS62WV25616BLL-55BI

256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM

DESCRIPTION TheISSIIS62WV25616ALL/IS62WV25616BLLarehighspeed,lowpower,4MbitSRAMsorganizedas256Kwordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshighperformanceand

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS62WV25616BLL-55BI

Package：48-TFBGA；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48MINIBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62WV25616BLL-55BI-TR

Package：48-TFBGA；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48MINIBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62WV25616BLL-55BLI

256Kx16LOWVOLTAGE,ULTRALOWPOWERCMOSSTATICSRAM

DESCRIPTION TheISSIIS62WV25616ALL/IS62WV25616BLLarehighspeed,lowpower,4MbitSRAMsorganizedas256Kwordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshighperformanceand

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS62WV25616BLL-55T

256Kx16LOWVOLTAGE,ULTRALOWPOWERCMOSSTATICSRAM

DESCRIPTION TheISSIIS62WV25616ALL/IS62WV25616BLLarehighspeed,lowpower,4MbitSRAMsorganizedas256Kwordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshighperformanceand

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS62WV25616BLL-55TI

256Kx16LOWVOLTAGE,ULTRALOWPOWERCMOSSTATICSRAM

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ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS62WV25616BLL-55TLI

256Kx16LOWVOLTAGE,ULTRALOWPOWERCMOSSTATICSRAM

DESCRIPTION TheISSIIS62WV25616ALL/IS62WV25616BLLarehighspeed,lowpower,4MbitSRAMsorganizedas256Kwordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshighperformanceand

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IS62WV25616BLL-55BI

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 異步

  • 存儲(chǔ)容量：

    4Mb（256K x 16）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁：

    55ns

  • 電壓 - 供電：

    2.5V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    48-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    48-TFBGA（6x8）

  • 描述：

    IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48MINIBGA

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
ISSI
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更多IS62WV25616BLL-55BI供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-1 10:50:00

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