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IS62WV25616BLL-55TI

256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM

DESCRIPTION TheISSIIS62WV25616ALL/IS62WV25616BLLarehighspeed,lowpower,4MbitSRAMsorganizedas256Kwordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshighperformanceand

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS62WV25616BLL-55TI

包裝：托盤 封裝/外殼：44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62WV25616BLL-55TI-TR

包裝：托盤 封裝/外殼：44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62WV25616BLL-55BI

256Kx16LOWVOLTAGE,ULTRALOWPOWERCMOSSTATICSRAM

DESCRIPTION TheISSIIS62WV25616ALL/IS62WV25616BLLarehighspeed,lowpower,4MbitSRAMsorganizedas256Kwordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshighperformanceand

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北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS62WV25616BLL-55BLI

256Kx16LOWVOLTAGE,ULTRALOWPOWERCMOSSTATICSRAM

DESCRIPTION TheISSIIS62WV25616ALL/IS62WV25616BLLarehighspeed,lowpower,4MbitSRAMsorganizedas256Kwordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshighperformanceand

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS62WV25616BLL-55T

256Kx16LOWVOLTAGE,ULTRALOWPOWERCMOSSTATICSRAM

DESCRIPTION TheISSIIS62WV25616ALL/IS62WV25616BLLarehighspeed,lowpower,4MbitSRAMsorganizedas256Kwordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshighperformanceand

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS62WV25616BLL-55TLI

256Kx16LOWVOLTAGE,ULTRALOWPOWERCMOSSTATICSRAM

DESCRIPTION TheISSIIS62WV25616ALL/IS62WV25616BLLarehighspeed,lowpower,4MbitSRAMsorganizedas256Kwordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshighperformanceand

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北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IS62WV25616BLL-55TI

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 異步

  • 存儲容量：

    4Mb（256K x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    55ns

  • 電壓 - 供電：

    2.5V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    44-TSOP II

  • 描述：

    IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ISSI
2008
TSOP
318
廠家指定一級分銷全新原裝現(xiàn)貨價
 詢價
ISSI
23+
TSOP
9231
詢價
ISSI
23+
44-TSOPII
73390
專業(yè)分銷產(chǎn)品!原裝正品!價格優(yōu)勢!
 詢價
ISSI
24+
TSOP
4650
詢價
ISSI
23+
TSOP
8653
全新原裝優(yōu)勢
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ISSI
24+
TSOP
5000
全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨
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TSOP-44
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更多IS62WV25616BLL-55TI供應(yīng)商 更新時間2024-12-24 10:31:00

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