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IS62WV2568BLL-70B集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料

IS62WV2568BLL-70B
廠商型號(hào)

IS62WV2568BLL-70B

參數(shù)屬性

IS62WV2568BLL-70B 封裝/外殼為36-TFBGA;包裝為托盤;類別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA

功能描述

256K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

文件大小

73.55 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

14 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Integrated Silicon Solution Inc
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ISSI北京矽成

中文名稱

北京矽成半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2024-12-25 22:30:00

IS62WV2568BLL-70B規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The ISSI IS62WV2568ALL / IS62WV2568BLL are highspeed, 2M bit static RAMs organized as 256K words by 8 bits. It is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields high performance and low power consumption devices.

FEATURES

? High-speed access time: 55ns, 70ns

? CMOS low power operation

– 36 mW (typical) operating

– 9 μW (typical) CMOS standby

? TTL compatible interface levels

? Single power supply

– 1.65V--2.2V VCC (62WV2568ALL)

– 2.5V--3.6V VCC (62WV2568BLL)

? Fully static operation: no clock or refresh required

? Three state outputs

? Industrial temperature available

? Lead-free available

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IS62WV2568BLL-70BI-TR

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 異步

  • 存儲(chǔ)容量:

    2Mb(256K x 8)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁(yè):

    70ns

  • 電壓 - 供電:

    2.5V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    36-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    36-TFBGA(6x8)

  • 描述:

    IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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