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IS62WV5128BLL-55BI集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

IS62WV5128BLL-55BI
廠商型號

IS62WV5128BLL-55BI

參數(shù)屬性

IS62WV5128BLL-55BI 封裝/外殼為36-TFBGA;包裝為托盤;類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA

功能描述

512K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

文件大小

286.39 Kbytes

頁面數(shù)量

17

生產(chǎn)廠商 Integrated Silicon Solution Inc
企業(yè)簡稱

ISSI北京矽成

中文名稱

北京矽成半導體有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-1-5 19:10:00

IS62WV5128BLL-55BI規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The ISSI IS62WV5128ALL / IS62WV5128BLL are high speed, 4M bit static RAMs organized as 512K words by 8 bits. It is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields high performance and low power consumption devices.

FEATURES

? High-speed access time: 55ns, 70ns

? CMOS low power operation

36 mW (typical) operating

9 μW (typical) CMOS standby

? TTL compatible interface levels

? Single power supply

1.65V – 2.2V VDD (IS62WV5128ALL)

2.5V – 3.6V VDD (IS62WV5128BLL)

? Fully static operation: no clock or refresh required

? Three state outputs

? Industrial temperature available

? Lead-free available

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IS62WV5128BLL-55BI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 異步

  • 存儲容量:

    4Mb(512K x 8)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    55ns

  • 電壓 - 供電:

    2.5V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    36-TFBGA

  • 供應商器件封裝:

    36-TFBGA(6x8)

  • 描述:

    IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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880000
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