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IS62WV5128DALL-55BLI

512K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS62WV5128DALL-55BLI

包裝:托盤 封裝/外殼:36-TFBGA 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IS62WV5128DALL-55BLI-TR

包裝:托盤 封裝/外殼:36-TFBGA 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA

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512Kx8LOWVOLTAGE,ULTRALOWPOWERCMOSSTATICRAM

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北京矽成北京矽成半導體有限公司

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北京矽成北京矽成半導體有限公司

產品屬性

  • 產品編號:

    IS62WV5128DALL-55BLI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術:

    SRAM - 異步

  • 存儲容量:

    4Mb(512K x 8)

  • 存儲器接口:

    并聯

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    55ns

  • 電壓 - 供電:

    1.65V ~ 2.2V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    36-TFBGA

  • 供應商器件封裝:

    36-TFBGA(6x8)

  • 描述:

    IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA

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